摘要
近日，中芯国际联合CEO赵海军在2026年一季度财报说明会上强调：车规模拟BCD平台需求旺盛、订单饱满，公司正将产能持续向BCD、存储等需求旺盛的平台倾斜。 这一发言再次点燃了半导体行业对这项成熟工艺的关注。 实际上，从2025年底至今，BCD涨价的消息在圈内持续发酵。中芯国际、华虹、世界先进、联电等行业主要晶圆代工厂纷纷对8英寸BCD工艺代工价格进行调整，涨幅普遍在10%-15%之间，市场甚至将这股势头称为BCD工艺的全面抢购潮。 是时势造英雄，还是英雄早已蓄势待发？ 在先进制程竞赛愈演愈烈的当下，这项诞生于40年前的“老工艺”，为何突然成为晶圆厂争相抢占的高价值产能？为何能在AI算力革命、新能源汽车普及的浪潮中，突然站在了舞台中央？这背后究竟发生了什么？ 三位一体：Bipolar-CMOS-DMOS的功率革命 BCD工艺，全称Bipolar-CMOS-DMOS工艺，是一种将双极型晶体管（Bipolar）、互补金属氧化物半导体（CMOS）和双扩散金属氧化物半导体（DMOS）集成在同一芯片上的混合工艺技术。 在BCD技术问世前，电源管理、电机驱动等系统面临的多芯片分立方案：用Bipolar芯片处理高精度模拟信号，CMOS芯片负责逻辑控制，DMOS芯片承担高压大电流驱动。这种方案不仅体积庞大、成本高昂，芯片间的引线还会产生寄生电感、电容，导致信号延迟、效率下降、可靠性降低。 BCD工艺的核心理念，就是让这三种性能迥异的器件在同一颗芯片上协同工作，各司其职。 BCD技术架构图 CMOS相当于芯片的“大脑”，负责逻辑控制和数字信号处理。CMOS的优势是功耗极低、集成度高，可以轻松实现复杂的算法和状态机。BJT则是模拟高手，擅长高精度模拟信号处理，是运算放大器、比较器等模拟电路的核心元件。DMOS堪称“功率开关”，负责承受高压、导通大电流，是电源芯片中的功率管。 BCD工艺的真正意义，在于将过去分立的控制芯片、模拟芯片和功率器件合三为一，实现了从多芯片拼凑到单芯片系统的跨越，实现了模拟感知+数字控制+功率执行的全功能集成。 单芯片集成带来的不仅是功能层面的优化，相比传统分立方案，BCD工艺的优势是系统性的，实现了更高效率、更小系统体积、更低损耗和更高可靠性的整体跃升，成为连接高压功率驱动端与低压数字控制端的底层支撑技术。