芯片设备,新机会 文章

36kr 资讯2026-06-29NEWSzh作者: 半导体行业观察

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36kr 资讯
作者
半导体行业观察
文章类型
NEWS
语言
zh
发布日期
2026-06-29

摘要

资本的嗅觉总是最先洞察行业的风向。近日,半导体量测领域的荷兰独角兽 Nearfield Instruments 宣布完成高达 3.8 亿美元的 D 轮融资,投后估值飙升至 16 亿美元。在其背后,集结了富达投资(Fidelity)、淡马锡(Temasek)、卡塔尔投资局(QIA)以及华登国际(Walden Catalyst)等一众顶级主权与明星资本。 值得注意的是,Nearfield 既不做光刻,也不做传统的刻蚀、沉积或封装,这家新星之所以能备受资本追捧,很大原因在于它押注了 High-NA EUV、GAA、CFET 以及混合键合等面向未来的下一代制造场景的计量与过程控制。 这不禁让我们思考,在这个早已被传统巨头割据的成熟赛道里,设备业的新机会到底在哪? 别急,让我们先看一组数据,根据SEMI的《300毫米晶圆厂展望》数据预测,全球300mm晶圆厂设备支出预计2026年增长18%至1330亿美元,2027年再增长14%至1510亿美元,到2028年投资额将继续增长3%,达到1550亿美元,到2029年将再增长11%,达到1720亿美元。这些增长主要由AI芯片、先进节点、区域化制造和存储投资拉动,其中逻辑/微处理器、DRAM、3D NAND都是未来几年设备投资大头。 这也意味着,未来的增量绝不仅靠晶圆厂单纯扩产、复制产线所带来的设备数量叠加;真正的行业巨变,可能来自于芯片底层结构与工艺路线的颠覆性重构。从GAA、CFET的架构演进,到HBM、3D DRAM的存储革命;从High-NA EUV、干法光刻胶、硅光/CPO的光电跨界等等——正是这些前沿底座的变迁,正在悄然重塑整个半导体设备业的黄金新周期。 芯片加速走向3D,沉积和刻蚀比光刻更“吃紧” 在摩尔定律逼近物理极限的当下,无论是逻辑、存储(DRAM/NAND)还是先进封装,都在全面加速驶向3D化发展。在2026年VLSI大会上,这一趋势已经非常清晰。 首先,在逻辑器件领域,晶体管架构正从FinFET跨入全环绕栅极(GAA),并向终极形态——互补场效应晶体管(CFET)架构过渡。

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